![IRF740ALPBF IRF740ALPBF](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/565fc2045d7cc841cf9bfb9df2222b79ad5c02bd/91046-pt-medium.jpg)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 95.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF740ALPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: I2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF740ALPBF за ціною від 75.32 грн до 157.35 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF740ALPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF740ALPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 992 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF740ALPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V |
на замовлення 815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF740ALPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1636 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF740ALPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
IRF740ALPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |