IRF740 HXY MOSFET
![91054.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
![IRF740.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 24.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF740 HXY MOSFET
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF740 за ціною від 36.91 грн до 63.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF740 | Виробник : Siliconix |
![]() ![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
IRF740 | Виробник : IR |
![]() ![]() |
на замовлення 6 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||
![]() |
IRF740 Код товару: 18286 |
Виробник : IR |
![]() ![]() Uds,V: 400 V Idd,A: 10 А Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||
![]() |
IRF740 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
|
IRF740 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||
|
IRF740 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IRF740 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() ![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IRF740 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IRF740 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товар відсутній |