Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7389PBF
IRF7389PBF

IRF7389PBF

IRF7389PBF.pdf
Код товару: 25148
Виробник: IR
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності 124 шт:
54 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
40 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
4+16 грн
10+ 14.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7389PBF IR

  • MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:NP
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Cont Current Id:7.3A
  • On State Resistance:0.046ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:1V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Cont Current Id P Channel:5.3A
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max On State Resistance:0.029ohm
  • Max On State Resistance P Channel:0.058ohm
  • Max Voltage Vds:30V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • Min Voltage Vgs th:1V
  • Min Voltage Vgs th P Channel:1V
  • No. of Pins:8
  • No. of Transistors:2
  • Power Dissipation:2.5W
  • Power Dissipation P Channel 2:2.5W
  • Power Dissipation Pd:2.5W
  • Pulse Current Idm:30A
  • Pulse Current Idm P Channel:30A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:F7389
  • Transistor Case Style:SOIC

Інші пропозиції IRF7389PBF за ціною від 26.81 грн до 79.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+30.78 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+55.12 грн
250+ 47.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
176+69.82 грн
206+ 59.42 грн
241+ 50.86 грн
254+ 46.48 грн
500+ 40.22 грн
1000+ 36.25 грн
4000+ 31.89 грн
16000+ 29.88 грн
Мінімальне замовлення: 176
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 4672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+74.06 грн
10+ 58.61 грн
100+ 45.61 грн
500+ 36.28 грн
1000+ 29.55 грн
2000+ 27.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002933940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+74.88 грн
50+ 55.12 грн
250+ 47.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7389_DataSheet_v01_01_EN-3363057.pdf MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A
на замовлення 8305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+79.71 грн
10+ 63.72 грн
100+ 42.72 грн
500+ 36.44 грн
1000+ 29.74 грн
2000+ 27.96 грн
8000+ 26.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7389PBF Виробник : IR irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 Транз. Пол. ММ 1N/1P-Channel SO8 30V 7,3/-5,3A 2,5W 29/58mOhm
на замовлення 247 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.67 грн
10+ 38.35 грн
100+ 34.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF7389PBF IRF7389PBF Виробник : Infineon Technologies irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товар відсутній
IRF7389PBF IRF7389PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7389_DataSheet_v01_01_EN-3363057.pdf MOSFET 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX
товар відсутній
IRF7389PBF IRF7389PBF Виробник : Infineon (IRF) irf7389.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.3/-5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22/23nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7389.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7389pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.3/-5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7389pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.3/-5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній

З цим товаром купують

IRLML0030TRPBF
Код товару: 37076		 irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df
IRLML0030TRPBF
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 209 шт
очікується: 10000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
15+3.5 грн
17+ 3 грн
100+ 2.9 грн
Мінімальне замовлення: 15
330uF 25V EXR 8x14mm (low imp.) (EXR331M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 10723		 EXR_080421.pdf
330uF 25V EXR 8x14mm (low imp.) (EXR331M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 330 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 8х14mm
Строк життя: 3000 годин
у наявності: 6456 шт
очікується: 2 шт
Кількість Ціна без ПДВ
17+3 грн
20+ 2.6 грн
100+ 2.2 грн
1000+ 1.9 грн
Мінімальне замовлення: 17
IRLML5203TRPBF
Код товару: 25596		 irlml5203pbf-datasheet.pdf
IRLML5203TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3 А
Rds(on),Om: 0,098 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9.5
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 3978 шт
Кількість Ціна без ПДВ
12+4.5 грн
14+ 3.8 грн
100+ 3.2 грн
1000+ 2.9 грн
Мінімальне замовлення: 12
AP4525GEH
Код товару: 36912		 AP4525GEH.pdf
AP4525GEH
Виробник: APEC
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 12 А
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 35 шт
Кількість Ціна без ПДВ
3+24.5 грн
10+ 21.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
1N4007
Код товару: 176822		 1N4001-ds.PDF
1N4007
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 63884 шт
очікується: 500 шт
Кількість Ціна без ПДВ
50+1 грн
84+ 0.6 грн
100+ 0.5 грн
Мінімальне замовлення: 50