Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7343TRPBF
IRF7343TRPBF

IRF7343TRPBF Infineon Technologies

irf7343.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+26.7 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7343TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7343TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF7343TRPBF за ціною від 20.41 грн до 93.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+27 грн
12000+ 24.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f68c1a1b73 Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
341+35.36 грн
389+ 31.04 грн
406+ 29.73 грн
500+ 27.12 грн
1000+ 23.77 грн
4000+ 20.41 грн
Мінімальне замовлення: 341
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+36.27 грн
1000+ 30.56 грн
2000+ 29.19 грн
4000+ 26.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
271+44.49 грн
273+ 44.27 грн
308+ 39.22 грн
311+ 37.44 грн
500+ 32.14 грн
1000+ 25.18 грн
Мінімальне замовлення: 271
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+45.05 грн
15+ 41.31 грн
25+ 41.11 грн
100+ 35.11 грн
250+ 32.19 грн
500+ 28.65 грн
1000+ 23.38 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
221+54.55 грн
223+ 54.24 грн
307+ 39.38 грн
310+ 37.58 грн
500+ 33.82 грн
4000+ 32.37 грн
Мінімальне замовлення: 221
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7343_DataSheet_v01_01_EN-3363081.pdf MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 55V 4.7A
на замовлення 12078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+77.82 грн
10+ 63.45 грн
100+ 43.72 грн
500+ 37.53 грн
1000+ 30.36 грн
2000+ 29.03 грн
4000+ 28.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f68c1a1b73 Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 4193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.07 грн
10+ 62.16 грн
100+ 48.34 грн
500+ 38.46 грн
1000+ 31.33 грн
2000+ 29.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
145+83.38 грн
152+ 79.65 грн
250+ 76.46 грн
500+ 71.07 грн
1000+ 63.66 грн
2500+ 59.31 грн
Мінімальне замовлення: 145
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002542220-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7343TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+93.83 грн
11+ 73.41 грн
100+ 53.06 грн
500+ 41.73 грн
1000+ 28.99 грн
5000+ 27.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF7343TRPBF Виробник : Infineon irf7343pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f68c1a1b73 Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(55; -55)V; Id=(+4,7; -3,4)A; Pdmax=2W; Rds=(0,05; 0,105) Ohm
на замовлення 3476 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.44 грн
10+ 26.65 грн
100+ 24.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF
Код товару: 180205 		Виробник : IR Infineon_IRF7343_DataSheet_v01_01_EN-1732495.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOIC-8
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7/3,4 A
Rds(on), Ohm: 0,043/0,095 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/690/24/26
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7343pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7343pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній