Продукція > UMW > IRF7342TR

IRF7342TR UMW


8bb5b0d3c2c9dc3389ad0afc32e1550c.pdf Виробник: UMW
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7342; IRF7342TR; SP001571984; SP001566208; IRF7342TR UMW TIRF7342 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 50
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7342TR UMW

Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP.

Інші пропозиції IRF7342TR за ціною від 25.07 грн до 25.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7342TR Виробник : Infineon 8bb5b0d3c2c9dc3389ad0afc32e1550c.pdf Transistor 2xP-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7342TR; IRF7342; IRF7342-GURT; IRF7342 smd; IRF7342TR TIRF7342
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+25.07 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7342TR
Код товару: 181463
8bb5b0d3c2c9dc3389ad0afc32e1550c.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
IRF7342TR IRF7342TR Виробник : UMW 8bb5b0d3c2c9dc3389ad0afc32e1550c.pdf Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
IRF7342TR IRF7342TR Виробник : UMW 8bb5b0d3c2c9dc3389ad0afc32e1550c.pdf Description: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності