IRF7341TRPBFXTMA1

IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies


irf7341pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF7341TRPBFXTMA1 за ціною від 27.05 грн до 92.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : INFINEON 3980139.pdf Description: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+51.49 грн
500+ 40.56 грн
1000+ 28.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf7341pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 5747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+74.51 грн
10+ 58.5 грн
100+ 45.52 грн
500+ 36.21 грн
1000+ 29.49 грн
2000+ 27.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7341_DataSheet_v01_01_EN-3223901.pdf MOSFETs Y
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+80.85 грн
10+ 65.31 грн
100+ 44.21 грн
500+ 37.46 грн
1000+ 30.5 грн
2000+ 28.75 грн
4000+ 27.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : INFINEON 3980139.pdf Description: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+92.25 грн
12+ 71.36 грн
100+ 51.49 грн
500+ 40.56 грн
1000+ 28.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+31.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
176+68.51 грн
183+ 66.01 грн
225+ 53.62 грн
250+ 50.92 грн
500+ 40.72 грн
1000+ 30.11 грн
3000+ 29.13 грн
Мінімальне замовлення: 176
IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+77.11 грн
10+ 63.62 грн
25+ 61.29 грн
100+ 48.02 грн
250+ 43.78 грн
500+ 36.3 грн
1000+ 27.96 грн
3000+ 27.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній