IRF7341TR JGSEMI
Виробник: JGSEMITransistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341TR JGSEMI TIRF7341 JGS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 14.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7341TR JGSEMI
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Configuration: 2 N-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V.
Інші пропозиції IRF7341TR за ціною від 15.56 грн до 15.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF7341TR | Виробник : UMW |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 45mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341TR UMW TIRF7341 UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRF7341TR |
|
на замовлення 16549 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||
| IRF7341TR | Виробник : International Rectifier |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 TIRF7341 |
на замовлення 700 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||
 |
IRF7341TR | Виробник : UMW |
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
IRF7341TR | Виробник : UMW |
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V |
товару немає в наявності |