IRF7329TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 29.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7329TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRF7329TRPBF за ціною від 31.89 грн до 116.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7329TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF7329TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7329TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7329TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7329TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF7329TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7329TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7329TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7329TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 8580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7329TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 22417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF7329TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -12V 9.2A |
на замовлення 16614 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7329TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7329TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |