IRF7328PBF International Rectifier/Infineon
Виробник: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 8 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2675 @ 25; Qg, нКл = 78 @ 10 В; Rds = 21 мОм @ 8 A, 10 В; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
2P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 8 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2675 @ 25; Qg, нКл = 78 @ 10 В; Rds = 21 мОм @ 8 A, 10 В; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 44 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 43.23 грн |
16+ | 40.34 грн |
100+ | 37.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7328PBF International Rectifier/Infineon
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO.
Інші пропозиції IRF7328PBF за ціною від 28 грн до 28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7328PBF Код товару: 28319 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 30 V Id,A: 8 А Rds(on),Om: 0,021 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2675/52 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
|||||
IRF7328PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
товару немає в наявності |
||||||
IRF7328PBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFETs DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX |
товару немає в наявності |
||||||
IRF7328PBF | Виробник : Infineon (IRF) |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -8A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -8A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of channel: enhanced |
товару немає в наявності |