IRF7324TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 31.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7324TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7324TRPBF - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 9 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRF7324TRPBF за ціною від 37.89 грн до 166.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET 2P-CH 20V 9A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 11905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7324TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7324TRPBF - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 9 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 17134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7324TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7324TRPBF - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 9 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 17034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 9A |
на замовлення 9114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 14133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRF7324TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 9 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2940 @ 15; Qg, нКл = 63 @ 5 В; Rds = 18 мОм @ 9 A, 4,5 В; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
на замовлення 53 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF7324TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
SO8 |
на замовлення 62 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
IRF7324TRPBF Код товару: 37138 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 20 V Id,A: 7 А Rds(on),Om: 0,018 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2940/42 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
 |
IRF7324TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -9A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -9A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 9A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 9A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7324TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -9A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -9A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |