IRF7316PBF International Rectifier/Infineon
![irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34](/images/adobe-acrobat.png)
2P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,9 A; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 25; Qg, нКл = 34 @ 10 В; Rds = 58 мОм @ 4,9 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 136 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
31+ | 20.39 грн |
33+ | 19.03 грн |
100+ | 17.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7316PBF International Rectifier/Infineon
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Discontinued at Digi-Key.
Інші пропозиції IRF7316PBF за ціною від 21.32 грн до 29.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7316PBF | Виробник : Infineon |
![]() |
на замовлення 331 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||
IRF7316PBF | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
![]() |
IRF7316PBF Код товару: 20388 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||
![]() |
IRF7316PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IRF7316PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IRF7316PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IRF7316PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IRF7316PBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IRF7316PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IRF7316PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IRF7316PBF | Виробник : Infineon (IRF) |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.9A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 58mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |