Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7313TRPBFXTMA1
IRF7313TRPBFXTMA1

IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies

irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7313TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.023 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF7313TRPBFXTMA1 за ціною від 15.42 грн до 73.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 Виробник : INFINEON 3980133.pdf Description: INFINEON - IRF7313TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+38.48 грн
500+ 29.8 грн
1000+ 24.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 6589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.58 грн
10+ 51.4 грн
100+ 35.56 грн
500+ 27.88 грн
1000+ 23.73 грн
2000+ 21.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7313_DataSheet_v01_01_EN-3224007.pdf MOSFETs Y
на замовлення 3536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.08 грн
10+ 58.2 грн
100+ 34.51 грн
500+ 28.89 грн
1000+ 24.6 грн
2000+ 23.26 грн
4000+ 19.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7313TRPBFXTMA1 IRF7313TRPBFXTMA1 Виробник : INFINEON 3980133.pdf Description: INFINEON - IRF7313TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+73.01 грн
14+ 60.48 грн
100+ 38.48 грн
500+ 29.8 грн
1000+ 24.53 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF7313TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf7313.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7313TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf7313.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7313TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf7313.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+22.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7313TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf7313.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SO T/R
товар відсутній