Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7306TRPBF
IRF7306TRPBF

IRF7306TRPBF Infineon Technologies

irf7306.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7306TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF7306TRPBF за ціною від 19.18 грн до 71.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7306.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
509+24.05 грн
Мінімальне замовлення: 509
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1fc421b0a Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+26.38 грн
8000+ 24.19 грн
12000+ 23.08 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7306.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+29.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7306.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0003518796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+42.1 грн
250+ 35.45 грн
1000+ 30.13 грн
2000+ 25.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7306.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
211+58 грн
213+ 57.44 грн
275+ 44.54 грн
278+ 42.5 грн
508+ 21.51 грн
Мінімальне замовлення: 211
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0003518796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7306TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+59.11 грн
50+ 42.1 грн
250+ 35.45 грн
1000+ 30.13 грн
2000+ 25.16 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7306pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+59.35 грн
10+ 45.92 грн
27+ 32.7 грн
73+ 30.93 грн
500+ 29.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1fc421b0a Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 19285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.1 грн
10+ 50.26 грн
100+ 39.08 грн
500+ 31.08 грн
1000+ 25.32 грн
2000+ 23.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7306.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+66.26 грн
12+ 53.86 грн
25+ 53.34 грн
100+ 39.88 грн
250+ 36.54 грн
500+ 19.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7306_DataSheet_v01_01_EN-3363022.pdf MOSFETs MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A
на замовлення 5652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.88 грн
10+ 55.32 грн
100+ 37.39 грн
500+ 31.46 грн
1000+ 25.82 грн
2000+ 23.91 грн
4000+ 23.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7306pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4246 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+71.22 грн
10+ 57.23 грн
27+ 39.24 грн
73+ 37.12 грн
500+ 35.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7306.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7306.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній