IRF7201TRPBF

---

Код товару: 42753

Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 550/19
Монтаж: SMD

у наявності 3125 шт:

---

2925 шт - склад
200 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	14 грн
10+	12.4 грн
100+	11.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRF7201TRPBF IR

Аналог IRF7201TRPBF IR

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	IRF7201PBF Код товару: 24055	Виробник : IR	Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 7,3 A Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 550/19 Монтаж: SMD	у наявності: 79 шт згорнути розгорнути 15 шт - склад 18 шт - РАДІОМАГ-Київ 15 шт - РАДІОМАГ-Львів 20 шт - РАДІОМАГ-Одеса 11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро	Кількість Ціна без ПДВ 2+ 13.5 грн 10+  11.9 грн Мінімальне замовлення: 2 купити

Інші пропозиції IRF7201TRPBF за ціною від 18.25 грн до 253.52 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	IRF7201TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	MOSFET MOSFT 30V 7A 30mOhm 19nC	на замовлення 10655 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 6+ 59.39 грн 10+  44 грн 100+  26.77 грн 500+  23.73 грн 1000+  22.04 грн 4000+  18.73 грн 24000+  18.25 грн Мінімальне замовлення: 6 купити
	IRF7201TRPBF	Виробник : INFINEON	Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 12+ 65.29 грн 17+  47.24 грн Мінімальне замовлення: 12 купити
	IRF7201TRPBF	Виробник : INFINEON	Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 12+ 65.29 грн 17+  47.24 грн Мінімальне замовлення: 12 купити
	IRF7201TRPBF	Виробник : INTERNATIONAL RECTIFIER	MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC	на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 1+ 253.52 грн купити
	IRF7201TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R	товар відсутній	купити
	IRF7201TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R	товар відсутній	купити
	IRF7201TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R	товар відсутній	купити
	IRF7201TRPBF	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 7A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт	товар відсутній	купити
	IRF7201TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V	товар відсутній	купити
	IRF7201TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V	товар відсутній	купити
	IRF7201TRPBF	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 7A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced	товар відсутній	купити

З цим товаром купують

1000uF 63V ELP 22x25mm (ELP102M63BA-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 2375

Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 63 V
Серія: ELP
Тип: з жорсткими виводами, 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 22х25mm
Строк життя: 2000 годин

у наявності: 36 шт

згорнути розгорнути

10 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

очікується: 100 шт

згорнути розгорнути

100 шт - очікується

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	26 грн
10+	23.4 грн
100+	21.1 грн

купити

IRF7416TRPBF Код товару: 25625

Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 10 А
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD

у наявності: 196 шт

згорнути розгорнути

73 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
82 шт - РАДІОМАГ-Львів
12 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	26 грн
10+	22.4 грн
100+	19.9 грн

купити

IRF7832TRPBF Код товару: 30646

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
Монтаж: SMD

у наявності: 27 шт

згорнути розгорнути

8 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	26.5 грн

купити

IRLML0030TRPBF Код товару: 37076

Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 5,3 A
Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 382/2,6
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD

у наявності: 1582 шт

згорнути розгорнути

1441 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
130 шт - РАДІОМАГ-Львів

Кількість	Ціна без ПДВ
6+	3.5 грн
10+	3 грн
100+	2.9 грн

Мінімальне замовлення: 6

купити

47 uF 6,3V 1206 X5R 20% CL31A476MQHNNNE Samsung Код товару: 123208

Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 6,3 V
Діелектрик: X5R
Точність: ±20% M
Типорозмір: 1206

у наявності: 1873 шт

згорнути розгорнути

1535 шт - склад
228 шт - РАДІОМАГ-Київ
110 шт - РАДІОМАГ-Одеса

Кількість	Ціна без ПДВ
4+	5 грн
10+	4.4 грн
100+	3.9 грн
1000+	3.2 грн

Мінімальне замовлення: 4

купити