![IRF710 IRF710](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5442/MFG_INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1.jpg)
IRF710 Harris Corporation
![HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: PFET, 2A I(D), 400V, 3.6OHM, 1-E
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
740+ | 29.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF710 Harris Corporation
Description: PFET, 2A I(D), 400V, 3.6OHM, 1-E, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF710 за ціною від 23.49 грн до 33.98 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF710 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
на замовлення 4400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
IRF710 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V |
на замовлення 19500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
IRF710 | Виробник : Siliconix |
![]() ![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
IRF710 | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
IRF710 Код товару: 123225 |
Виробник : SILI |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 400 V Idd,A: 2 A Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 170/17 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||
![]() |
IRF710 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||
|
IRF710 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||
![]() |
IRF710 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() ![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
IRF710 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() ![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
IRF710 Код товару: 23685 |
Виробник : IR |
![]() ![]() Uds,V: 400 V Idd,A: 2 А Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 170/17 Монтаж: THT |
товар відсутній
|