IRF7105PBF

IRF7105PBF


irf7105pbf-datasheet.pdf
Код товару: 113418
Виробник: IR
Uds,V: 25 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9.4
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності 55 шт:

15 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Одеса
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
3+18 грн
10+ 16.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7105PBF IR

  • MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:25V
  • On State Resistance:0.1ohm
  • Power Dissipation:2W
  • Transistor Case Style:SOIC
  • No. of Pins:8
  • Case Style:SOIC
  • Cont Current Id:2.3A
  • Cont Current Id N Channel 2:3.5A
  • Cont Current Id P Channel:2.3A
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max On State Resistance N Channel:0.1ohm
  • Max On State Resistance P Channel:0.25ohm
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • No. of Transistors:2
  • Power Dissipation Pd:2W
  • Pulse Current Idm:10A
  • Pulse Current Idm N Channel 2:14A
  • Pulse Current Idm P Channel:10A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:F7105
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Polarity:NP
  • Typ Voltage Vds:25V
  • Typ Voltage Vgs th:3V
  • Voltage Vds:25V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Інші пропозиції IRF7105PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7105PBF IRF7105PBF Виробник : Infineon Technologies irf7105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f118ff1ad0 Description: MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товар відсутній
IRF7105PBF IRF7105PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7105_DataSheet_v01_01_EN-3363130.pdf MOSFET 25V DUAL N / P CH 20 VGS MAX V
товар відсутній
IRF7105PBF IRF7105PBF Виробник : Infineon (IRF) irf7105.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.4/10nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній

З цим товаром купують

IRF7105
Код товару: 32592
description irf7105-datasheet.pdf
IRF7105
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 25 V
Idd,A: 3,5 (2.3) A
Rds(on), Ohm: 0,1(0,25) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9,4
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 213 шт
Кількість Ціна без ПДВ
4+16 грн
10+ 14.4 грн
100+ 12.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
1000uF 35V EXR 13x26mm (low imp.) (EXR102M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 2455
EXR_080421.pdf
1000uF 35V EXR 13x26mm (low imp.) (EXR102M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 13х26mm
Строк життя: 5000 годин
очікується: 10000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
6+9 грн
10+ 8 грн
100+ 7.2 грн
1000+ 6.5 грн
Мінімальне замовлення: 6
BC846A (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 2036
BC846A.pdf
BC846A (транзистор біполярний NPN)
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 65 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 220
у наявності: 1430 шт
Кількість Ціна без ПДВ
25+2 грн
36+ 1.4 грн
100+ 1.1 грн
1000+ 0.9 грн
Мінімальне замовлення: 25
1N4007
Код товару: 1574
1n4001.pdf 1N400x.pdf 1N4001-1N4007%20N0543%20REV.A.pdf
1N4007
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Може замінити: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
товар відсутній
PMBT5401
Код товару: 1399
PMBT5401.pdf
PMBT5401
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uке, В: 150 V
Uкб, В: 160 V
Iк, А: 0,3 A
h21,max: 240
у наявності: 171 шт
Кількість Ціна без ПДВ
20+2.5 грн
24+ 2.1 грн
100+ 1.7 грн
Мінімальне замовлення: 20