![IRF7105PBF IRF7105PBF](/img/so-8.jpg)
IRF7105PBF
![irf7105pbf-datasheet.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Код товару: 113418
Виробник: IRUds,V: 25 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9.4
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності 55 шт:
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Одеса
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 18 грн |
10+ | 16.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7105PBF IR
- MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8
- Transistor Type:MOSFET
- Max Voltage Vds:25V
- On State Resistance:0.1ohm
- Power Dissipation:2W
- Transistor Case Style:SOIC
- No. of Pins:8
- Case Style:SOIC
- Cont Current Id:2.3A
- Cont Current Id N Channel 2:3.5A
- Cont Current Id P Channel:2.3A
- Current Temperature:25`C
- External Depth:5.2mm
- External Length / Height:1.75mm
- External Width:4.05mm
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Junction Temperature Tj:150`C
- Max On State Resistance N Channel:0.1ohm
- Max On State Resistance P Channel:0.25ohm
- Min Junction Temperature, Tj:-55`C
- No. of Transistors:2
- Power Dissipation Pd:2W
- Pulse Current Idm:10A
- Pulse Current Idm N Channel 2:14A
- Pulse Current Idm P Channel:10A
- Row Pitch:6.3mm
- SMD Marking:F7105
- Termination Type:SMD
- Transistor Polarity:NP
- Typ Voltage Vds:25V
- Typ Voltage Vgs th:3V
- Voltage Vds:25V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Інші пропозиції IRF7105PBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF7105PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key |
товар відсутній |
|
![]() |
IRF7105PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IRF7105PBF | Виробник : Infineon (IRF) |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25/-25V Drain current: 3.5/-2.3A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1/0.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 9.4/10nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRF7105 Код товару: 32592 |
![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 25 V
Idd,A: 3,5 (2.3) A
Rds(on), Ohm: 0,1(0,25) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9,4
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 25 V
Idd,A: 3,5 (2.3) A
Rds(on), Ohm: 0,1(0,25) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/9,4
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 213 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 16 грн |
10+ | 14.4 грн |
100+ | 12.9 грн |
1000uF 35V EXR 13x26mm (low imp.) (EXR102M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 2455 |
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 13х26mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 13х26mm
Строк життя: 5000 годин
очікується:
10000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 9 грн |
10+ | 8 грн |
100+ | 7.2 грн |
1000+ | 6.5 грн |
BC846A (транзистор біполярний NPN) Код товару: 2036 |
![]() |
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 65 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 220
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 65 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 220
у наявності: 1430 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 2 грн |
36+ | 1.4 грн |
100+ | 1.1 грн |
1000+ | 0.9 грн |
1N4007 Код товару: 1574 |
![]() ![]() ![]() |
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Може замінити: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Може замінити: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
товар відсутній
PMBT5401 Код товару: 1399 |
![]() |
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uке, В: 150 V
Uкб, В: 160 V
Iк, А: 0,3 A
h21,max: 240
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uке, В: 150 V
Uкб, В: 160 V
Iк, А: 0,3 A
h21,max: 240
у наявності: 171 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 2.5 грн |
24+ | 2.1 грн |
100+ | 1.7 грн |