IRF6785MTRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 93.42 грн |
| 10+ | 91.88 грн |
| 100+ | 88.81 грн |
| 500+ | 84.09 грн |
| 1000+ | 77.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6785MTRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF6785MTRPBF за ціною від 83.18 грн до 177.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF6785MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFETPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF6785MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 4058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF6785MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 14390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF6785MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 14390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF6785MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 200V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio |
на замовлення 1293 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF6785MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
 |
IRF6785MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
IRF6785MTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 57W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 19A Power dissipation: 57W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4800 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
IRF6785MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
IRF6785MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
IRF6785MTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 57W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 19A Power dissipation: 57W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |