IRF6775MTRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V
на замовлення 7720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4800+ | 75.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6775MTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.047 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MZ, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRF6775MTRPBF за ціною від 65.11 грн до 188.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF6775MTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.047 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF6775MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 150V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio |
на замовлення 6314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF6775MTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.047 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF6775MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF6775MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V |
на замовлення 13349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF6775MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 3958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF6775MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
на замовлення 3958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF6775MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
IRF6775MTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 28A; 89W; DirectFET Kind of package: reel Drain-source voltage: 150V Drain current: 28A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 89W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: DirectFET кількість в упаковці: 4800 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
IRF6775MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IRF6775MTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 28A; 89W; DirectFET Kind of package: reel Drain-source voltage: 150V Drain current: 28A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 89W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: DirectFET |
товар відсутній |