Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF6726MTRPBF
IRF6726MTRPBF

IRF6726MTRPBF Infineon Technologies

irf6726mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed61db1a98 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
199+105.11 грн
Мінімальне замовлення: 199
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6726MTRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric MT, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IRF6726MTRPBF за ціною від 89.89 грн до 269.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF6726MTRPBF IRF6726MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6726m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 9501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+120.81 грн
10+ 117.96 грн
25+ 116.77 грн
50+ 111.51 грн
100+ 100.11 грн
250+ 95.15 грн
500+ 91.75 грн
1000+ 90.85 грн
3000+ 89.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF6726MTRPBF IRF6726MTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6726m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 9501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
93+130.1 грн
96+ 127.04 грн
97+ 125.75 грн
98+ 120.09 грн
101+ 107.82 грн
250+ 102.47 грн
500+ 98.81 грн
1000+ 97.84 грн
3000+ 96.81 грн
Мінімальне замовлення: 93
IRF6726MTRPBF IRF6726MTRPBF Виробник : Infineon / IR Infineon_IRF6726M_DataSheet_v01_01_EN-1732534.pdf MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+269.94 грн
10+ 239.63 грн
100+ 170.74 грн
500+ 145.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF6726MTRPBF IRF6726MTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6726mpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 180A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4800 шт
товар відсутній
IRF6726MTRPBF IRF6726MTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6726mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed61db1a98 Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
товар відсутній
IRF6726MTRPBF IRF6726MTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6726mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ed61db1a98 Description: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
товар відсутній
IRF6726MTRPBF IRF6726MTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6726mpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 180A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній