IRF6717MTRPBF INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IRF6717MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 38 A, 950 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 139.56 грн |
| 500+ | 114.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6717MTRPBF INFINEON
Description: INFINEON - IRF6717MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 38 A, 950 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: DirectFET MX, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRF6717MTRPBF за ціною від 83.33 грн до 223.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF6717MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 13 V |
на замовлення 4499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF6717MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 46nC |
на замовлення 1314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF6717MTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6717MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 38 A, 950 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: DirectFET MX Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF6717MTRPBF | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
IRF6717MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRF6717MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6750 pF @ 13 V |
товар відсутній |