IRF6715MTRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 175.58 грн |
| 10+ | 158.57 грн |
| 25+ | 157 грн |
| 50+ | 149.88 грн |
| 100+ | 123.72 грн |
| 250+ | 118.01 грн |
| 500+ | 104 грн |
| 1000+ | 84.11 грн |
| 3000+ | 82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6715MTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF6715MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 0.0016 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: DirectFET MX, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IRF6715MTRPBF за ціною від 88.3 грн до 252.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF6715MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
на замовлення 4412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF6715MTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6715MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 0.0016 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: DirectFET MX Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 4779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF6715MTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6715MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 0.0016 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: DirectFET MX Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 4779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF6715MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF6715MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 34A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
IRF6715MTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 180A; 78W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 180A Power dissipation: 78W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4800 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
IRF6715MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
IRF6715MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms 40nC |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
IRF6715MTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 180A; 78W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 180A Power dissipation: 78W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |