IRF6714MTRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 60.2 грн |
| 100+ | 57.93 грн |
| 500+ | 53.74 грн |
| 1000+ | 48.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6714MTRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric MX, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 166A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 13 V.
Інші пропозиції IRF6714MTRPBF за ціною від 52.56 грн до 199.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF6714MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
на замовлення 4180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF6714MTRPBF | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 2.1mOhms 29nC |
на замовлення 4753 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF6714MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IRF6714MTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 166A; 89W; DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Drain-source voltage: 25V Drain current: 166A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 89W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Case: DirectFET кількість в упаковці: 4800 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IRF6714MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 166A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 13 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRF6714MTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 166A; 89W; DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Drain-source voltage: 25V Drain current: 166A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 89W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Case: DirectFET |
товар відсутній |