IRF6712STRPBF INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: DirectFET SQ
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 35.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6712STRPBF INFINEON
Description: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 36W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: DirectFET SQ, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IRF6712STRPBF за ціною від 35.24 грн до 144.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF6712STRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 36W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF6712STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS HEXFET |
на замовлення 4760 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF6712STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 17A 6-Pin Direct-FET SQ T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRF6712STRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 17A; 36W; DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Case: DirectFET Drain-source voltage: 25V Drain current: 17A кількість в упаковці: 4800 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRF6712STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 13 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRF6712STRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 17A; 36W; DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Case: DirectFET Drain-source voltage: 25V Drain current: 17A |
товар відсутній |