Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF6668TRPBF
IRF6668TRPBF

IRF6668TRPBF Infineon Technologies

irf6668.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4800+54.64 грн
Мінімальне замовлення: 4800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6668TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MZ, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF6668TRPBF за ціною від 51.13 грн до 169.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec96b91a64 Description: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4800+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 4800
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4800+62.28 грн
Мінімальне замовлення: 4800
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4800+64.93 грн
Мінімальне замовлення: 4800
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : International Rectifier IRSDS09314-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF6668 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
на замовлення 59676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
318+65.42 грн
Мінімальне замовлення: 318
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
151+80.31 грн
152+ 79.7 грн
200+ 75.08 грн
1000+ 69.42 грн
2000+ 66.47 грн
4800+ 64.97 грн
Мінімальне замовлення: 151
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012827008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+91.47 грн
500+ 74.05 грн
1000+ 51.93 грн
5000+ 51.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+94.99 грн
10+ 89.43 грн
100+ 81.53 грн
500+ 70.23 грн
1000+ 57.53 грн
2500+ 53.5 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
119+102.3 грн
126+ 96.3 грн
138+ 87.8 грн
500+ 75.63 грн
1000+ 61.96 грн
2500+ 57.62 грн
Мінімальне замовлення: 119
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF6668_DataSheet_v01_01_EN-3363228.pdf MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC
на замовлення 3947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.72 грн
10+ 111.4 грн
100+ 80.84 грн
500+ 70.39 грн
1000+ 56.94 грн
4800+ 55.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec96b91a64 Description: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
на замовлення 12538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+135.7 грн
10+ 108.53 грн
100+ 86.34 грн
500+ 68.56 грн
1000+ 58.17 грн
2000+ 55.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012827008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+144.63 грн
10+ 111.8 грн
100+ 91.47 грн
500+ 74.05 грн
1000+ 51.93 грн
5000+ 51.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+152.5 грн
10+ 133.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+157.07 грн
10+ 141.7 грн
25+ 136.84 грн
100+ 106.36 грн
250+ 95.47 грн
500+ 76.87 грн
1000+ 61.28 грн
3000+ 56.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 3795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
72+169.15 грн
80+ 152.6 грн
82+ 147.36 грн
102+ 114.54 грн
250+ 102.82 грн
500+ 82.78 грн
1000+ 66 грн
3000+ 61.05 грн
Мінімальне замовлення: 72
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товар відсутній
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товар відсутній
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6668.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
товар відсутній
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6668pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 89W; DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Case: DirectFET
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4800 шт
товар відсутній
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6668pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 89W; DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Case: DirectFET
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
товар відсутній