IRF6665TRPBF INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IRF6665TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.053 ohm, DirectFET SH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 42W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 73.35 грн |
| 500+ | 58.12 грн |
| 1000+ | 36.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6665TRPBF INFINEON
Description: INFINEON - IRF6665TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.053 ohm, DirectFET SH, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 42W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: DirectFET SH, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IRF6665TRPBF за ціною від 36.29 грн до 119.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF6665TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 100V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio |
на замовлення 4644 шт: термін постачання 469-478 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF6665TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6665TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.053 ohm, DirectFET SH, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 42W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: DirectFET SH Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 4780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF6665TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
IRF6665TRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 100V 4.2A 6-Pin Direct-FET SH T/R Si - Arrow.com |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IRF6665TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 4.2A 6-Pin Direct-FET SH T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IRF6665TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.2A; 42W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.2A Power dissipation: 42W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4800 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IRF6665TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRF6665TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRF6665TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.2A; 42W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.2A Power dissipation: 42W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |