![IRF6662TRPBF IRF6662TRPBF](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GEDIRECTFET4-40.jpg)
IRF6662TRPBF INFINEON
![INFN-S-A0012826925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0](/images/adobe-acrobat.png)
Description: INFINEON - IRF6662TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.0175 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
на замовлення 4178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 125.82 грн |
500+ | 96.99 грн |
1000+ | 75.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6662TRPBF INFINEON
Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF6662TRPBF за ціною від 75.29 грн до 238.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF6662TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Anzahl der Pins: 5Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm |
на замовлення 4178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF6662TRPBF | Виробник : Infineon / IR |
![]() |
на замовлення 3688 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRF6662TRPBF | Виробник : Infineon |
![]() |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
![]() |
IRF6662TRPBF Код товару: 87232 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||
![]() |
IRF6662TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V |
товар відсутній |