IRF6648TRPBF

IRF6648TRPBF Infineon Technologies


irf6648pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec6e561a59 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V
на замовлення 9600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4800+67.97 грн
9600+ 63.28 грн
Мінімальне замовлення: 4800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6648TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.0055 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MN, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF6648TRPBF за ціною від 61.49 грн до 171.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Виробник : Infineon Technologies 3642051191216770irf6648pbf.pdffileid5546d462533600a4015355ec6e561a59.pdffileid554.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4800+70.05 грн
Мінімальне замовлення: 4800
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Виробник : Infineon Technologies 3642051191216770irf6648pbf.pdffileid5546d462533600a4015355ec6e561a59.pdffileid554.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4800+71.4 грн
Мінімальне замовлення: 4800
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Виробник : Infineon Technologies 3642051191216770irf6648pbf.pdffileid5546d462533600a4015355ec6e561a59.pdffileid554.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+83.64 грн
10+ 82.35 грн
25+ 81.06 грн
100+ 76.92 грн
250+ 70.07 грн
500+ 66.16 грн
1000+ 65.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Виробник : Infineon Technologies 3642051191216770irf6648pbf.pdffileid5546d462533600a4015355ec6e561a59.pdffileid554.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 5373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
139+86.04 грн
142+ 84.52 грн
500+ 81.4 грн
2000+ 73.56 грн
Мінімальне замовлення: 139
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Виробник : Infineon Technologies 3642051191216770irf6648pbf.pdffileid5546d462533600a4015355ec6e561a59.pdffileid554.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
133+90.07 грн
135+ 88.69 грн
137+ 87.29 грн
139+ 82.84 грн
250+ 75.46 грн
500+ 71.25 грн
1000+ 70.06 грн
Мінімальне замовлення: 133
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0003071207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.0055 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+101.61 грн
500+ 80.16 грн
1000+ 61.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF6648_DS_v01_02_EN-1227295.pdf MOSFETs 60V 1 N-CH 5.5mOhm DirectFET 36nC
на замовлення 62503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.1 грн
10+ 111.21 грн
100+ 83.09 грн
250+ 77.64 грн
500+ 70.83 грн
1000+ 63.95 грн
4800+ 63.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6648pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec6e561a59 Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V
на замовлення 16271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+156.92 грн
10+ 125.28 грн
100+ 99.71 грн
500+ 79.18 грн
1000+ 67.18 грн
2000+ 63.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0003071207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.0055 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+171.13 грн
10+ 125.29 грн
100+ 101.61 грн
500+ 80.16 грн
1000+ 61.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF6648TRPBF
Код товару: 167334
irf6648pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec6e561a59 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Виробник : Infineon Technologies 3642051191216770irf6648pbf.pdffileid5546d462533600a4015355ec6e561a59.pdffileid554.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
товар відсутній
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Виробник : Infineon Technologies 3642051191216770irf6648pbf.pdffileid5546d462533600a4015355ec6e561a59.pdffileid554.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
товар відсутній
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Виробник : Infineon Technologies 3642051191216770irf6648pbf.pdffileid5546d462533600a4015355ec6e561a59.pdffileid554.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
товар відсутній
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6648pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 86A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 86A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4800 шт
товар відсутній
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6648pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 86A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 86A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній