IRF6646TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4800+ | 87.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6646TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric MN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF6646TRPBF за ціною від 81.98 грн до 204.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF6646TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V |
на замовлення 6899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF6646TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 36nC |
на замовлення 1656 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF6646TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 12A; 89W; DirectFET Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Power dissipation: 89W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 80V Drain current: 12A Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 4800 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRF6646TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 12A; 89W; DirectFET Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Power dissipation: 89W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 80V Drain current: 12A Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |