Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF6645TRPBF
IRF6645TRPBF

IRF6645TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4800+51.11 грн
Мінімальне замовлення: 4800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6645TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: DirectFET SJ, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF6645TRPBF за ціною від 46.85 грн до 106.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6645pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec4ff51a51 Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SJ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SJ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4800+51.84 грн
Мінімальне замовлення: 4800
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4800+54.33 грн
Мінімальне замовлення: 4800
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4800+58.83 грн
Мінімальне замовлення: 4800
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 3092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+64.42 грн
11+ 59.74 грн
25+ 59.46 грн
100+ 56.9 грн
250+ 52.27 грн
500+ 49.78 грн
1000+ 49.39 грн
3000+ 48.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 3092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
177+69.37 грн
191+ 64.04 грн
193+ 61.27 грн
250+ 56.29 грн
500+ 53.61 грн
1000+ 53.18 грн
3000+ 52.76 грн
Мінімальне замовлення: 177
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET SJ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+82.3 грн
250+ 69.95 грн
1000+ 54.37 грн
2000+ 49.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
144+85.11 грн
149+ 82.35 грн
162+ 75.93 грн
200+ 71.26 грн
500+ 65.79 грн
1000+ 59.93 грн
Мінімальне замовлення: 144
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6645pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec4ff51a51 Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SJ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SJ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V
на замовлення 21734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.99 грн
10+ 69.44 грн
100+ 55.29 грн
500+ 46.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF6645_DataSheet_v01_01_EN-3363111.pdf MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SJ
на замовлення 4156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+88.06 грн
10+ 73.98 грн
100+ 53.47 грн
250+ 53.26 грн
500+ 50.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET SJ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+106.03 грн
50+ 82.3 грн
250+ 69.95 грн
1000+ 54.37 грн
2000+ 49.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
товар відсутній
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6645pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.7A; 42W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 42W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4800 шт
товар відсутній
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6645pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.7A; 42W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 42W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній