Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF6644TRPBF
IRF6644TRPBF

IRF6644TRPBF Infineon Technologies

irf6644pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 3916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+74.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6644TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0103 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MN, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF6644TRPBF за ціною від 71.17 грн до 253.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6644pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 33600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4800+74.7 грн
Мінімальне замовлення: 4800
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6644pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec47ac1a4f Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4800+75.8 грн
Мінімальне замовлення: 4800
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6644pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
154+78.4 грн
Мінімальне замовлення: 154
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6644pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 33600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4800+97.4 грн
Мінімальне замовлення: 4800
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6644pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 33600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4800+101.54 грн
Мінімальне замовлення: 4800
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826693-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0103 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+137.19 грн
250+ 116.69 грн
1000+ 89.32 грн
2000+ 81.1 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : INFINEON irf6644pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec47ac1a4f Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0103 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+164.79 грн
50+ 137.19 грн
250+ 116.69 грн
1000+ 89.32 грн
2000+ 81.1 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6644pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
70+174.24 грн
76+ 159.82 грн
100+ 134.51 грн
500+ 110.63 грн
1000+ 84.96 грн
Мінімальне замовлення: 70
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6644pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec47ac1a4f Description: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
на замовлення 17662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+174.87 грн
10+ 139.69 грн
100+ 111.19 грн
500+ 88.3 грн
1000+ 74.92 грн
2000+ 71.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6644pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+181.65 грн
10+ 166.62 грн
100+ 140.23 грн
500+ 115.34 грн
1000+ 88.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6644pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 4697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+209.61 грн
10+ 190.5 грн
25+ 187.22 грн
100+ 150.89 грн
250+ 138.31 грн
500+ 107.01 грн
1000+ 94.21 грн
3000+ 83.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF6644_DataSheet_v01_02_EN-3362800.pdf MOSFET 100V 1 N-CH 10.3mOhm DirectFET 20V 3.7Vg
на замовлення 4634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+210.74 грн
10+ 164.89 грн
100+ 120.89 грн
250+ 117.38 грн
500+ 103.32 грн
1000+ 85.75 грн
4800+ 82.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6644pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 4697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
54+225.73 грн
59+ 205.16 грн
60+ 201.62 грн
100+ 162.5 грн
250+ 148.95 грн
500+ 115.24 грн
1000+ 101.46 грн
3000+ 90.1 грн
Мінімальне замовлення: 54
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6644pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
48+253.07 грн
Мінімальне замовлення: 48
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6644pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10.3A 7-Pin Direct-FET MN T/R
товар відсутній
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6644pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10.3A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.3A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6644pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10.3A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.3A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній