![IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/12/6/16/48/29/799882/smn_/manual/directfet-mn.jpg_472149771.jpg)
IRF6644TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 3916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 74.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6644TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0103 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MN, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRF6644TRPBF за ціною від 71.17 грн до 253.07 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF6644TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 33600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF6644TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF6644TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF6644TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 33600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF6644TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 33600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF6644TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MN Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF6644TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MN Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF6644TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF6644TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V |
на замовлення 17662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF6644TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF6644TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF6644TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4634 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF6644TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF6644TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF6644TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRF6644TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10.3A; 89W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10.3A Power dissipation: 89W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRF6644TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10.3A; 89W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10.3A Power dissipation: 89W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |