IRF6643TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4800+ | 63.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6643TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MZ, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRF6643TRPBF за ціною від 59.26 грн до 165.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF6643TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 6016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF6643TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6643TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.0345 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0345ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 6016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF6643TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 7.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V |
на замовлення 7253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF6643TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 34.5mOhms 39nC |
на замовлення 15628 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF6643TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRF6643TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRF6643TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 6.2A; 89W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 6.2A Power dissipation: 89W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4800 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRF6643TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 6.2A; 89W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 6.2A Power dissipation: 89W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |