Продукція > INFINEON > IRF6623TRPBF
IRF6623TRPBF

IRF6623TRPBF INFINEON

INFN-S-A0012826257-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6623TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 55 A, 0.0044 ohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
на замовлення 2556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+120.28 грн
500+ 91.85 грн
1000+ 65.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6623TRPBF INFINEON

Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric ST, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V.

Інші пропозиції IRF6623TRPBF за ціною від 65.32 грн до 173.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF6623TRPBF IRF6623TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6623pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e8aa811a2d Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
на замовлення 8615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+161 грн
10+ 128.51 грн
100+ 102.27 грн
500+ 81.21 грн
1000+ 68.9 грн
2000+ 65.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF6623TRPBF IRF6623TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826257-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6623TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 55 A, 0.0044 ohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
на замовлення 2556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+166.17 грн
10+ 149.56 грн
100+ 120.28 грн
500+ 91.85 грн
1000+ 65.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF6623TRPBF IRF6623TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF6623_DataSheet_v01_01_EN-3362872.pdf MOSFET 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC
на замовлення 4618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+173.64 грн
10+ 134.66 грн
100+ 98.75 грн
250+ 91 грн
500+ 82.53 грн
1000+ 67.58 грн
2500+ 66.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF6623TRPBF IRF6623TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6623pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 16A 7-Pin Direct-FET ST T/R
товар відсутній
IRF6623TRPBF IRF6623TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6623pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 16A 7-Pin Direct-FET ST T/R
товар відсутній
IRF6623TRPBF IRF6623TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6623pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 42W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 16A
Power dissipation: 42W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4800 шт
товар відсутній
IRF6623TRPBF IRF6623TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6623pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e8aa811a2d Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
товар відсутній
IRF6623TRPBF IRF6623TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf6623pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 42W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 16A
Power dissipation: 42W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній