IRF6622TRPBF
Виробник: на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6622TRPBF
Description: MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 59A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 34W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 13 V.
Інші пропозиції IRF6622TRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF6622TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 25V 15A 6-Pin Direct-FET SQ T/R |
товар відсутній |
|
 |
IRF6622TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ SQ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 13 V |
товар відсутній |