![IRF6618TRPBF IRF6618TRPBF](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/640/IRF6614TR1PBF.jpg)
IRF6618TRPBF Infineon Technologies
![irf6618pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e862c21a1b](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 15 V
на замовлення 3903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 183.23 грн |
10+ | 146.36 грн |
100+ | 116.49 грн |
500+ | 92.5 грн |
1000+ | 78.49 грн |
2000+ | 74.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6618TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric MT, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRF6618TRPBF за ціною від 89.26 грн до 235.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF6618TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4595 шт: термін постачання 313-322 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF6618TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IRF6618TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 29A; 89W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 29A Power dissipation: 89W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4800 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IRF6618TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MT Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IRF6618TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 29A; 89W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 29A Power dissipation: 89W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |