Продукція > INFINEON > IRF6616TRPBF
IRF6616TRPBF

IRF6616TRPBF INFINEON

INFN-S-A0012838295-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6616TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 106 A, 0.0037 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Anzahl der Pins: 7Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+115.53 грн
500+ 97.73 грн
1000+ 86.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF6616TRPBF INFINEON

Description: MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric MX, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 106A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 20 V.

Інші пропозиції IRF6616TRPBF за ціною від 86.82 грн до 251 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF6616TRPBF IRF6616TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838295-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6616TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 106 A, 0.0037 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Anzahl der Pins: 7Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+213.65 грн
10+ 157.47 грн
100+ 115.53 грн
500+ 97.73 грн
1000+ 86.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF6616TRPBF IRF6616TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF6616_DataSheet_v01_01_EN-1732490.pdf MOSFET 40V 1 N-CH 3.7mOhm DirectFET 1.8V Vgs
на замовлення 4903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+251 грн
10+ 221.46 грн
100+ 153.78 грн
250+ 151.66 грн
500+ 126.97 грн
1000+ 106.51 грн
2500+ 100.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF6616TRPBF IRF6616TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6616pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 19A 7-Pin Direct-FET MX T/R
товар відсутній
IRF6616TRPBF IRF6616TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf6616pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e843461a13 Description: MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 20 V
товар відсутній