IRF6613TRPBF INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0026 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
на замовлення 4385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 115.9 грн |
| 250+ | 97.77 грн |
| 1000+ | 77.61 грн |
| 2000+ | 67.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6613TRPBF INFINEON
Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0026 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MT, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm.
Інші пропозиції IRF6613TRPBF за ціною від 61.68 грн до 182.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF6613TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R |
на замовлення 1038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF6613TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R |
на замовлення 1038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF6613TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0026 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MT Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm |
на замовлення 4385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF6613TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MT Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V |
на замовлення 8359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF6613TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 40V N-CH HEXFET 3.4mOhms 42nC |
на замовлення 2757 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF6613TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRF6613TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRF6613TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRF6613TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 23A; 89W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 23A Power dissipation: 89W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4800 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRF6613TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MT Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRF6613TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 23A; 89W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 23A Power dissipation: 89W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |