![IRF644PBF-BE3 IRF644PBF-BE3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4955/742%3B6031%3B%3B3.jpg)
IRF644PBF-BE3 Vishay Siliconix
![91039.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 82.11 грн |
50+ | 63.21 грн |
100+ | 52 грн |
500+ | 44.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF644PBF-BE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - IRF644PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 250V, 14A, TO-220AB, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IRF644PBF-BE3 за ціною від 110.74 грн до 168.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF644PBF-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 2684 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF644PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF644PBF-BE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF644PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |