![IRF640PBF IRF640PBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2020/1/7/11/11/18/256779/vsh_/manual/vs-40ctq150-m3.jpg)
на замовлення 6760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 25.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF640PBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Інші пропозиції IRF640PBF за ціною від 32.67 грн до 148.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF640PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2179 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2179 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 6749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 6760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 4350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 6758 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF640PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 2156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 18372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF640PBF | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 70 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF Код товару: 22635 |
Виробник : IR |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |