![IRF634PBF IRF634PBF](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/3215c2911378af0e57bdb29c089e8ea6761fff16/vs-40ctq150-m3.jpg)
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
219+ | 55.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF634PBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF634PBF за ціною від 29.69 грн до 123.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF634PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 5.1A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 41nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF634PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF634PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 5.1A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 41nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 251 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF634PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF634PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF634PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V |
на замовлення 6341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF634PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 5803 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF634PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 8.1 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 74 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF634PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |