IRF6216PBF International Rectifier/Infineon
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 2,2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1280 @ 25; Qg, нКл = 49 @ 10 В; Rds = 240 мОм @ 1,3 A, 10 В; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
P-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 2,2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1280 @ 25; Qg, нКл = 49 @ 10 В; Rds = 240 мОм @ 1,3 A, 10 В; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 124.8 грн |
10+ | 62.4 грн |
100+ | 27.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6216PBF International Rectifier/Infineon
Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF6216PBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IRF6216PBF Код товару: 20309 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 150 V Id,A: 2,2 A Rds(on),Om: 0,24 Ohm Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
||
IRF6216PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC Tube |
товар відсутній |
||
IRF6216PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||
IRF6216PBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 240mOhms 33nC |
товар відсутній |