IRF6215STRLPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 113.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF6215STRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF6215STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.29 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRF6215STRLPBF за ціною від 47.74 грн до 141.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF6215STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT PCh -150V -13A 290mOhm 44nC |
на замовлення 5034 шт: термін постачання 163-172 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF6215STRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6215STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.29 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF6215STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 150V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IRF6215STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 150V 13A 3-Pin(2+Tab) D2Pak T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRF6215STRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -13A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRF6215STRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRF6215STRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -13A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |