IRF610PBF-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 8406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 45.02 грн |
| 50+ | 35.93 грн |
| 100+ | 26.08 грн |
| 500+ | 20.45 грн |
| 1000+ | 19.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF610PBF-BE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF610PBF-BE3 за ціною від 35.41 грн до 71.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF610PBF-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 200V N-CH HEXFET |
на замовлення 6104 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF610PBF-BE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF610PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 200V, 3.3A, TO-220AB tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IRF610 Series productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
на замовлення 842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF610PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1 |
на замовлення 876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF610PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1 |
товар відсутній |