IRF610 Siliconix
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 15.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF610 Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF610
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IRF610 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
||
IRF610 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||
IRF610 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT IRF610PBF |
товар відсутній |
||
IRF610 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET |
товар відсутній |