IRF60DM206 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IRF60DM206 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 130 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 205.63 грн |
| 10+ | 152.8 грн |
| 100+ | 121.1 грн |
| 500+ | 101.89 грн |
| 1000+ | 78.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF60DM206 INFINEON
Description: MOSFET N-CH 60V 130A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric ME, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA, Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF60DM206 за ціною від 91.29 грн до 210.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF60DM206 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 60V, 130A, DirectFET 2.9mOhm, 133nC Og |
на замовлення 4790 шт: термін постачання 147-156 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF60DM206 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRF60DM206 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRF60DM206 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRF60DM206 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 130A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric ME Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRF60DM206 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 130A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric ME Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 25 V |
товар відсутній |