IRF5803TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 8.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF5803TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRF5803TRPBF за ціною від 6.70 грн до 51.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF5803TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF5803TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF5803TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF5803TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF5803TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF5803TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF5803TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.4 A, 0.112 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF5803TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -3.4A Power dissipation: 1.3W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF5803TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF5803TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -3.4A Power dissipation: 1.3W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF5803TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 19954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF5803TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -40V -3.4A 112mOhm 25nC |
на замовлення 14573 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF5803TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V |
на замовлення 33638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF5803TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF5803TRPBF | Виробник : IR | Транзистор P-Channel MOSFET TSOP-6, -40В, -3,4А |
на замовлення 2524 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF5803TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation | MOSFET P-CH 40V 3.4A TSOP-6 |
на замовлення 31 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF5803TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 40V 3.4A 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |