на замовлення 8450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 142.37 грн |
| 10+ | 98.97 грн |
| 100+ | 74.77 грн |
| 250+ | 74.07 грн |
| 1000+ | 73.36 грн |
| 2000+ | 72.66 грн |
| 5000+ | 70.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF540PBF-BE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF540PBF-BE3 за ціною від 80.71 грн до 157.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF540PBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 100V 28A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF540PBF-BE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF540PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 28A, TO-220AB tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IRF540 Series productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
на замовлення 647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF540PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| IRF540PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A |
товар відсутній |