Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF530NSTRLPBF
IRF530NSTRLPBF

IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies

infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
372+32.42 грн
Мінімальне замовлення: 372
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: 0, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: 0, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: 0, Rds(on)-Prüfspannung: 0, Betriebstemperatur, max.: 0, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF530NSTRLPBF за ціною від 25.8 грн до 126.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+40.3 грн
1600+ 35.69 грн
2400+ 34.1 грн
4000+ 30.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: 0
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: 0
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+59.69 грн
500+ 35.36 грн
1000+ 31.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf530nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+69.38 грн
10+ 55.28 грн
29+ 30.16 грн
78+ 28.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
161+75 грн
169+ 71.65 грн
250+ 68.77 грн
500+ 63.92 грн
1000+ 57.26 грн
Мінімальне замовлення: 161
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+79.6 грн
10+ 67.62 грн
25+ 66.2 грн
100+ 52.88 грн
250+ 48.48 грн
500+ 26.67 грн
1000+ 25.8 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
146+82.67 грн
229+ 52.74 грн
255+ 47.41 грн
264+ 44.08 грн
500+ 38.92 грн
1000+ 31.09 грн
3200+ 30.74 грн
6400+ 30.65 грн
Мінімальне замовлення: 146
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf530nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+83.26 грн
10+ 68.88 грн
29+ 36.2 грн
78+ 34.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF530NS_DataSheet_v01_01_EN-3362770.pdf MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.84 грн
10+ 74.6 грн
100+ 51.1 грн
500+ 46.32 грн
800+ 33.74 грн
2400+ 33.46 грн
4800+ 32.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: 0
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: 0
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+104.08 грн
10+ 79.63 грн
100+ 59.69 грн
500+ 35.36 грн
1000+ 31.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 4866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+126.97 грн
10+ 77.46 грн
100+ 52.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF530NSTRLPBF
Код товару: 144837 		irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній