Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF5305STRLPBF
IRF5305STRLPBF

IRF5305STRLPBF Infineon Technologies

irf5305spbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+31.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF5305STRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF5305STRLPBF за ціною від 36.58 грн до 123.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+45.35 грн
2400+ 36.58 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+48.86 грн
2400+ 39.4 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 113600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+49.12 грн
2400+ 38.02 грн
4800+ 37.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 113600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+52.9 грн
2400+ 40.94 грн
4800+ 40.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+59.54 грн
1600+ 48.65 грн
2400+ 46.22 грн
5600+ 41.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : INFINEON IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+69.26 грн
250+ 61.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
125+97.06 грн
126+ 96.09 грн
158+ 76.58 грн
250+ 73.1 грн
500+ 57.7 грн
1000+ 45.8 грн
Мінімальне замовлення: 125
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf5305spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+97.77 грн
10+ 76.14 грн
15+ 58.57 грн
40+ 55.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 12858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.44 грн
10+ 85.15 грн
100+ 67.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+108.78 грн
10+ 90.13 грн
25+ 89.22 грн
100+ 68.57 грн
250+ 62.85 грн
500+ 51.44 грн
1000+ 42.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf.pdf Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
109+111.5 грн
112+ 108.49 грн
137+ 87.99 грн
200+ 83.59 грн
500+ 66.19 грн
1000+ 51.32 грн
1600+ 50.97 грн
3200+ 44.17 грн
6400+ 39.78 грн
Мінімальне замовлення: 109
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5305spbf-3363922.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
на замовлення 7004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.98 грн
10+ 92.95 грн
100+ 64.87 грн
250+ 63.96 грн
500+ 61.5 грн
800+ 45.26 грн
2400+ 43.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf5305spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.32 грн
10+ 94.89 грн
15+ 70.29 грн
40+ 66.77 грн
250+ 64.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Виробник : INFINEON IRSDS10111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+123.79 грн
10+ 95.4 грн
50+ 85.15 грн
100+ 69.26 грн
250+ 61.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF5305STRLPBF Виробник : Infineon irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2PAK Udss=-55V; Id=-31A; Pdmax=110W; Rds=0,06 Ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.1 грн
10+ 74.62 грн
100+ 69.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF5305STRLPBF Виробник : International Rectifier Corporation irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 P-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, D2PAK, TO-263 (SMD)
на замовлення 374 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF5305STRLPBF
Код товару: 155127 		irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній