Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF5210STRLPBF
IRF5210STRLPBF

IRF5210STRLPBF Infineon Technologies

infineon-irf5210s-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+89.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF5210STRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.8W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IRF5210STRLPBF за ціною від 90.2 грн до 283.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf5210s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
134+90.2 грн
Мінімальне замовлення: 134
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf5210s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+98.95 грн
2400+ 97.83 грн
4800+ 93.56 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+102.01 грн
1600+ 92.05 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf5210s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+106.59 грн
2400+ 105.4 грн
4800+ 100.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 21491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+145.08 грн
500+ 120.07 грн
1000+ 97.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf5210spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+186.08 грн
8+ 110.55 грн
22+ 103.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf5210s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+186.62 грн
10+ 156.42 грн
25+ 152.81 грн
100+ 90.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF5210S_DataSheet_v01_01_EN-3362884.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC
на замовлення 9013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+193.52 грн
10+ 159.23 грн
25+ 135.65 грн
100+ 117.38 грн
800+ 96.29 грн
2400+ 93.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf5210s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
60+200.98 грн
72+ 168.45 грн
74+ 164.56 грн
119+ 97.95 грн
Мінімальне замовлення: 60
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf5210spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 385 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+223.29 грн
8+ 137.77 грн
22+ 124.76 грн
800+ 119.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : INFINEON irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 21491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+249.94 грн
10+ 168.73 грн
100+ 145.08 грн
500+ 120.07 грн
1000+ 97.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : Infineon Technologies irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+283.59 грн
10+ 179.38 грн
100+ 126.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF5210STRLPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 38 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25; Qg, нКл = 230 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,1 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D2PAK
на замовлення 25 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+144.67 грн
10+ 135.03 грн
100+ 125.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF5210STRLPBF Виробник : Infineon irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC , TO-263-3
на замовлення 18 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+229.6 грн
10+ 186.55 грн
100+ 159.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf5210s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF5210STRLPBF
Код товару: 199795 		irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній