![IRF5210PBF IRF5210PBF](/img/to-220.jpg)
IRF5210PBF
![irf5210pbf-221443.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Код товару: 113380
Виробник: IRКорпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 40 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2700/180
Монтаж: THT
у наявності 45 шт:
21 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
17 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 93 грн |
10+ | 88.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF5210PBF за ціною від 44.97 грн до 287.7 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF5210PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 28928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRF5210PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRF5210PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 28926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRF5210PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 28928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRF5210PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRF5210PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -40A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 942 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRF5210PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRF5210PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRF5210PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRF5210PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -40A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 942 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRF5210PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V |
на замовлення 7555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRF5210PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRF5210PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
IRF5210PBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
![]() |
на замовлення 14 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF5210PBF | Виробник : Infineon |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
З цим товаром купують
IRF4905PBF Код товару: 22366 |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
у наявності: 536 шт
очікується:
2000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 48.5 грн |
10+ | 43.6 грн |
100+ | 39.5 грн |
1N4007 Код товару: 176822 |
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 17506 шт
очікується:
50000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 1 грн |
84+ | 0.6 грн |
100+ | 0.5 грн |
IRF3205PBF Код товару: 25094 |
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 11424 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 30 грн |
10+ | 29 грн |
100+ | 28 грн |
1000+ | 27 грн |
IRF9540NPBF Код товару: 31944 |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 23 A
Rds(on),Om: 0,117 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 23 A
Rds(on),Om: 0,117 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
Монтаж: THT
у наявності: 379 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 24.5 грн |
10+ | 21.8 грн |
1N4007 Код товару: 1574 |
![]() ![]() ![]() |
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Може замінити: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Може замінити: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
товар відсутній